近紅外光電系統(tǒng)檢測(cè)晶片瑕疵
2021-11-15(1712)次瀏覽
在可見光下無法捕捉到硅片表面的圖像。連接一臺(tái)近紅外顯微鏡和一個(gè)近紅外銦鎵砷攝像機(jī)...
在可見光下無法捕捉到硅片表面的圖像。連接一臺(tái)近上海紅外顯微鏡和一個(gè)近紅外銦鎵砷攝像機(jī)則可以打破這個(gè)限制,由此可以組成一個(gè)觀測(cè)系統(tǒng)來檢測(cè)晶片的瑕疵。
銦鎵砷探測(cè)器對(duì)近紅外區(qū)和波帶范圍為900nm到1700nm的短波紅外區(qū)的能量尤為敏感。這一特性使得它在檢測(cè)特定情況下的光電效應(yīng)時(shí)功效卓越。例如,銦鎵砷探測(cè)器可以探測(cè)到集成電路中晶體管故障時(shí)發(fā)出的微弱光信號(hào),從而輕易地發(fā)現(xiàn)故障。
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